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DRA2123E0L |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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DRA2123E0L参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 说明：TRANS PNP W/RES 50V 100MA MINI3 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：PNP - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：2.2k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：2.2k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：6 @ 5mA，10V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）：500nA 频率 - 转换：- 功率 - 最大：200mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 圆形 - 配件1516234 铝电容器AHA104M50B12B-F Card EdgeHMC13DREH-S93 数据采集 - 数模AD7243BRZ-REEL 芯片电阻 - 表面MCR004YZPF1004 铝电容器UPJ2D3R3MPD 存储器IDT70T653MS12BCI Card EdgeABC44DRAN 线夹和夹具NE14 芯片电阻 - 表面RG1005V-7680-C-T10 |
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